В ответ на рост спроса на рынке фоточувствительных элементов, Sanyo Electric Co., Ltd. (Tokyo) анонсировала о начале программы расширения производства фотоэлементов, и намерена занять лидирующие позиции в мировой индустрии.Программа предусматривает выполнение следующих шагов:

1. В 2007 финансовом году Sanyo инвестирует 10 млрд иен из 40-ка  запланированных к 2010 году в производство высокопродуктивных блоков с фоточувствительными элементами. В 2007 году, производственная мощность завода фотоэлектрических элементов (Нишикинохама, Осака) увеличиться на 100 Мвт, и составит 210 Мвт. Общая производственная мощность в 2007 году составит 260 Мвт за счет производственной площадки Shimane Sanyo Industrial Co., Ltd.
2. Кроме повышения производственной мощности, Sanyo планирует усовершенствовать продуктивность блоков с фоточувствительными элементами, путем повышения КПД фотоэлементов, коэффициент  преобразования которых самый высокий в индустрии. Sanyo планирует повысить эффективность преобразования энергии солнечного света и достичь показателя свыше 22%. Для этого компания разработает более тонкие полупроводниковые пластины и в тоже время повысит эффективность преобразования солнечной энергии. При нормальных условиях, при уменьшении толщины многокристальных кремневых фотоэлементов эффективность приобразования снижается, однако при толщине, меньше 150 микрометров, эффективность должна превысить 22%.
3. Sanyo выпустит новый тип блоков «HIT solar cell» на основе многокристальных кремневых пластин и тем самым удовлетворит требования широкого круга потребителей. Ранее компания выпускала исключительно монокристальные элементы. Так в 2007 году, компания главным образом сконцентрируется на производстве блоков с 15-16 % КПД, а в 2008 планирует повысить этот показтель до 18%. Расширение производства фотоэлементов будет происходить, как за счет монокристальных, так и многокристальных блоков «HIT solar cells».

www.jarn.co.jp